深圳真茂佳半导体有限公司成立于2016年10月，2022年成立日本真茂佳半导体株式会社，是一家专注于车规级功率半导体设计的国家级高新技术企业，拥有自主知识产权和品牌。
团队：核心技术成员拥有20年以上功率半导体器件设计、工艺开发、封装研发及应用经验，其中日籍研发人员曾在瑞萨、富士电机、安森美等国际半导体巨头厂商以主要设计负责人的角色主导开发车规级产品；核心管理人员具有国内IDM企业和世界500强企业的高管经验。
产品：公司已推出中低压车规级MOSFET产品103颗，位列车规MOSFET厂家第七；低中高压全系产品，共计700+种型号，性能达到世界一流水平。车规级SiC 二极管产品已经推出，性能达到国际同类器件水平；2023年将推出SiC MOSFET车规器件和IGBT车规器件、200V-300V GaN器件、车用高边智能开关 。目前申请专利51项，其中发明27项，已授权发明13项；后续也将以30项/年的速度持续申请（其中发明专利预计占比50%）。
市场：汽车市场为主，并在燃油喷射系统、域控制器、ESC、EPS、线性刹车系统、变速箱油泵、BMS、车灯、OBC、热管理系统等应用中批量供货；在储能、新能源、数据中心、服务器及消费类市场持续稳定发展。
核心竞争力:通过栅极自钳位专利技术，使得器件使用过程中产生的 VGS 尖峰电压实现了行业最低水平。通过屏蔽栅阻尼网络专利技术可以使器件使用过程的 Vds 尖峰控制在较低水平。通过优化器件的纵向掺杂分布使器件的电容曲线平滑，有效提升了 EMI 能力。针对同步整流应用，优化了寄生二极管的反向恢复特性。通过提高二极管的软恢复因子，可以有效抑制尖峰提升 EMI 能力。
